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大功率白光LED珠寶照明可分為單芯片型與多芯片型兩種：一種是同時點亮RGB三基色LED珠寶照明產 生白光；另一種是利用藍光或是紫外光LED珠寶照明作為激發光源，激發熒光體獲得白光。除此之 外，單芯片型最新技術動向是改變活性層的性質，利用單純的半導體產生RGB三色光，進而獲得白光效果。

多芯片型因各顏色LED珠寶照明的驅動電壓、發光功率、配光特性的差異，從而溫度特性、組 件壽命等還存在許多問題有待解決。單芯片型因為組件種類單純，因此具有驅動電路設計容易等優點。

(1)單芯片

①
   InGaN-LED珠寶照明(藍）/YAG熒光粉。這是一種目前較為成熟的產品，其中1W的和5W 的白光LED珠寶照明已有批量產品。這些產品采用芯片倒裝結構，提篼發光效率和散熱效果。熒光粉涂覆工藝的改進，可將色均勻性提高10倍。實驗證明，電流和溫度的增加使LED珠寶照明光譜有些藍移和紅移，但對熒光光譜影響并不大。壽命實驗結果也較好，白光LED珠寶照明在工作20000h后，光輸出下降80%,而這種功率白光LED珠寶照明在工作20000h后，僅下降10%，估 計工作50000h后下降30%。這種功率型白光LED珠寶照明最高效率達到44. 31m/W,最高珠寶照明天花燈光通量為1871m,產業化產品可達1201m,Ra為75?80。

②InGaN(藍）/紅熒光粉+綠熒光粉。

LimiiLED珠寶照明s公司采用460nm的LED珠寶照明配以SrGa2S4:EV2 + (綠色）和SrS:EV2 + (紅色）熒光粉，色溫可達到3000 ~ 6000K，Ra達到82~87,較前述產品有所提高。

③InGaN(紫外)/(紅+綠+藍）熒光粉。

目前，日亞、豐田等公司均在大力研制紫外 LED珠寶照明, Cree公司已生產出50mW、385?405nm的紫外LED珠寶照明;豐田已生產此類白光LED珠寶照明，但發光效率還不夠理想；日亞于最近制得365mn、1mm2、4.6V、500mA的高功率 紫外LED珠寶照明,如制成白色LED珠寶照明，會有較好的效果。

(2)雙芯片

可由藍LED珠寶照明 +黃LED珠寶照明、藍LED珠寶照明 +黃綠LED珠寶照明以及藍綠LED珠寶照明 +黃LED珠寶照明制成白光LED珠寶照明,此種器件成本比較便宜，但由于是兩種顏色LED珠寶照明形成的白光，顯色性較差，只能在顯色性要求 不高的場合使用。

(3)三芯片（藍色+綠色+紅色）LED珠寶照明

Philips公司用470nm、540nm和610nm的LED珠寶照明芯片制成>80的白光LED珠寶照明,色溫可達 3500Ko如用470nm、525nm和635nm的LED珠寶照明芯片，則缺少黃色調,Ra只能達到20或30，采用波長補償和光通S反饋方法可使色移動減小。